Vcc=12V, R1=47kΩ, R2=10kΩ, Rc=1kΩ, Re=470Ω, β=100: Vb=12×10/57=2.1V, Ve=1.4V, Ic=1.4V/470Ω=2.98 mA, Vce=12−2.98mA×1.47kΩ=7.6V → zona attiva, buon punto Q a metà retta di carico.
Il partitore R1/R2 stabilizza il punto Q contro le variazioni di β tra esemplari diversi dello stesso transistor (anche ±50%). La condizione β×Re ≫ R1∥R2 garantisce che Vb sia quasi indipendente da β. Con una sola RB e VBE variabile, IC cambierebbe enormemente con la temperatura (VBE cala 2mV/°C).
Per commutare un carico (relè, motore DC, LED alta potenza): porta il transistor in saturazione con IB_sat = IC_max/β × 10 (fattore sicurezza ×10). Per µC 3.3V/5V: R_base = (Vcc_µC − VBE) / IB_sat. Per carichi induttivi (relè, motori) aggiungere un diodo di ricircolo (1N4148) in antiparallelo al carico.
Emettitore comune (EC): guadagno di tensione alto, ingresso bassa impedenza, uscita alta impedenza — amplificatori. Base comune (BC): guadagno corrente ≈1, banda larga — RF. Collettore comune / emitter follower (CC): guadagno tensione ≈1, alta impedenza ingresso, bassa uscita — buffer e adattamento di impedenza.
- Sedra/Smith — Microelectronic Circuits, Cap. 6 (BJT biasing).
- IEC 60747-7 — Transistor bipolari, parametri e misure.